R6011END3TL1

A képek csak tájékoztató jellegűek
Cikkszám
R6011END3TL1
Gyártó
ROHM Semiconductor
Kategóriák
MOSFET
RoHS
Adatlap
Leírás
MOSFET 600V N-CH 11A POWER MOSFET

Műszaki adatok

Gyártó
ROHM Semiconductor
Kategóriák
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
11 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
124 W
Qg - Gate Charge
32 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
390 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V

legfrissebb értékelések

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Thank You all fine, packed very well

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

fast delivery

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Még szintén kedvelheted

Az emberek megtekintik R6011END3TL1, majd megvették

Kapcsolódó kulcsszavak R601

  • R6011END3TL1 Integrált
  • R6011END3TL1 RoHS
  • R6011END3TL1 PDF adatlap
  • R6011END3TL1 Adatlap
  • R6011END3TL1 Rész
  • R6011END3TL1 megvesz
  • R6011END3TL1 Elosztó
  • R6011END3TL1 PDF
  • R6011END3TL1 Összetevő
  • R6011END3TL1 IC
  • R6011END3TL1 PDF letöltése
  • R6011END3TL1 Adatlap letöltése
  • R6011END3TL1 Kínálat
  • R6011END3TL1 Támogató
  • R6011END3TL1 Ár
  • R6011END3TL1 Adatlap
  • R6011END3TL1 Kép
  • R6011END3TL1 Kép
  • R6011END3TL1 Leltár
  • R6011END3TL1 Készlet
  • R6011END3TL1 Eredeti
  • R6011END3TL1 legolcsóbb
  • R6011END3TL1 Kiváló
  • R6011END3TL1 Ólommentes
  • R6011END3TL1 Leírás
  • R6011END3TL1 Forró ajánlatok
  • R6011END3TL1 Break Ár
  • R6011END3TL1 Műszaki adatok